Νέα μορφή transistor από την Intel

Η Intel ανακοίνωσε μια νέα μορφή transistor την οποία ονόμασε 3D Τrigate Transistor. Μετά από 10 ερευνών κατάφεραν να δημιουργήσουν ένα νέο σχεδιασμό, ο οποίος δεν αλλάζει τόσο τον τρόπο με τον οποίο λειτουργεί η διάταξη ημιαγωγών που ονομάζουμε transistor, όσο την ίδια τη δομή αυτής της διάταξης.


Ουσιαστικά αυτή η μορφή μεταφέρει τον ημιαγωγό από μια δισδιάστατη σε τριδιάστατη, όπως φαίνεται και στην εικόνα. Συγκεκριμένα αναφερόμαστε σε ένα FET, αρχικά για το Field Effect Transistor, του οποίου το Source δεν είναι μια απλή λωρίδα ημιαγωγού, αλλά ένα πολύ λεπτό και ψηλό ορθογώνιο παραλληλεπίπεδο. Έτσι πλέον η επαφή Source και Gate δεν περιορίζεται σε μια επιφάνεια, αλλά επεκτείνεται σε τρείς, δηλαδή την πάνω και τις πλαϊνές πλευρές, του ημιαγωγού, δημιουργώντας τελικώς τρείς πύλες σε μία. Από αυτό ακριβώς το χαρακτηριστικό πήρε και το όνομά του ο σχεδιασμός.

Η μικρή φαινομενικά αυτή αλλαγή έχει ουσιαστικά πολλαπλά οφέλη στα χαρακτηριστικά λειτουργίας της διάταξης, με ελάχιστη αύξηση του κόστους της παρούσας μεθόδου λιθογραφίας, μόλις 2-3%. Αυτά τα οφέλη συνοπτικά είναι μεγαλύτερη αποδοτικότητα, με πολύ χαμηλότερο [σχεδόν μηδενικό] drain current, δυνατότητα για switching υψηλότερων ρευμάτων για την ίδια επιφάνεια σιλικόνης, και χαμηλότερη κατανάλωση. Αυτό σημαίνει ότι είναι εφικτό για λιθογραφίες μεγαλύτερης διακριτικότητας, όπως 15nm ή 10nm, και υψηλότερης αποδοτικότητας.
πηγή:http://e-pcmag.gr/news/nea-morfi-transistor-apo-tin-intel